（1）碘化銫
1一般原理：首先將X射線通過熒光介質材料轉換為可見光，然后通過光敏元件將可見光信號轉換為電信號，最后通過A/D將模擬電信號轉換為數字信號。具體原理：曝光之前，陽離子被存儲在硅表面上以產生均勻的電荷，從而在硅表面上產生電子場；
2.曝光期間，在硅中產生電子-空穴對，并向表面釋放自由電子，從而在硅表面產生了潛在的電荷像，并且每個點的電荷密度等于局部X射線強度。
3.曝光后，X射線圖像存儲在每個像素中；
4.半導體轉換器讀取每個元素并完成模數轉換。
優點：
1.轉換效率高；
2.動態范圍廣；
3.高空間分辨率；
4.在低分辨率區域具有較高的X射線吸收率（因為其原子序數高于非晶硒的原子序數）；
5.環境適應能力強。
缺點：
1.高劑量DQE不如無定形硒。
2.由于熒光轉換層而引起的輕微散射效應；
3.清晰度相對于非晶態硒略低。
（2）非晶硒型
一般原理：光電導半導體將接收到的X射線光子直接轉換為電荷，然后通過薄膜晶體管陣列將電信號讀出并數字化。
具體原理：
1.X射線入射光子激發非晶硒層中的電子-空穴對；
2.電子和空穴在外部電場的作用下以相反的方向移動以產生電流。電流的大小與入射的X射線有關。光子數成正比；
3.這些電流信號被存儲在TFT的電極間電容上，并且每個TFT和電容形成像素單元。
優點：
1.轉換效率高；
2.動態范圍廣；
3.高空間分辨率；
4.清晰度好；
缺點：
1.X射線吸收率低，在低劑量條件下不能保證圖像質量。增加X射線劑量不僅會增加疾病來源射線吸收了，對了X射線系統要求太高。
2.硒層對溫度敏感，使用條件有限，環境適應性差。
（三）CCD型
一般原理：增強屏幕用作X射線交互介質，并添加CCD以數字化X射線圖像。
具體原理：以MOS電容器類型為例：在P型Si的表面形成一層SiO2，然后在其上蒸鍍一層多晶硅作為電極，并在P-上施加電壓。電極的Si型襯底，以在電極A的低勢能區或勢阱下形成它。勢阱的深度與電壓有關。電壓越高，勢阱越深。光生電子存儲在勢阱中。光生電子的數量與光的強度成正比。因此，存儲的電荷量也反映了該點的亮度。存儲在數百萬個感光單元中的電荷形成與該圖像相對應的電荷圖像。
優點：
1.高空間分辨率；
2.幾何變形小；
3.均勻性好。
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